Dünyanın en büyük yarı iletken üreticisi TSMC, gelecek yonga mimarilerinde değerli adımlar atıyor. Şirket, halihazırda bu yıl 5 nm mimariye sahip yongaları üretmeye başlayacak. Bu yongalar, halihazırda 7 nm sürecinde üretilen yongalardan çok daha fazla transistör bulunduracak. Olağanda 7 nm yongalarda mm kare başına 91,2 milyon transistör bulunurken, 5 nm mimarili yongalarda bu sayı 171,3 milyon transistöre çıkıyor.
TSMC, 5 nm yongaları şimdiden Apple ve Huawei üzere yonga seti üreticilerine tedarik etmeye başlıyor. Örneğin iPhone 12 ailesi, her biri 15 milyar transistöre sahip olan A14 Bionic yonga setlerine sahip olacak. iPhone 11’in yonga seti olan A13 Bionic, 7 nm mimariyi kullanıyor ve 8,5 milyar transistöre sahip.
Şirket, 3 nm’den evvel ek bir sürüm çıkaracak
TSMC, 3 nm sürecine kadar oluşacak boşluğu doldurmak için 2023 yılına kadar 5 nm olsa da 4 nm üzere süreç yapabilecek “N4” sürecini açıkladı. Bu yongalar, 5 nm oldukları için evvelki kuşak yongalarla uyumlu kaldığı üzere birtakım performans ve güç güzelleştirmelerine sahip olacak. TSMC, 7 nm’den 5 nm’ye geçerken performans olarak güzelleştirilen yongaları piyasaya sürmüştü.
TSMC 3 nm yongalar üretecek
Moore maddesine nazaran yarı iletken transistör yoğunluğu, her iki yılda bir, iki katına çıkar. Bu durum, çok uzun yıllardan beri bu formda devam ediyordu, fakat mimari daha da küçüldükçe bu yasaya uymak da daha fazla zorlaşıyor. Bu teknolojik gelişmelerde o kadar değerli bir gelişme kaydedildi ki önümüzdeki yıllarda yongaların 3 nm mimarisinde kullanılacağı düşünülüyor.
En büyük yarı-iletken üreticisi TSMC’nin dışında bir öbür devasa yarı-iletken üreticisi Samsung’un da 3 nm yongalar üzerinde çalıştığı biliniyor. Bu mimaride ulaşılacak transistör yoğunluğunun mm kare başına 300 milyona ulaşması bekleniyor.
